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锗二极管Nexperia推出反向电压为120 V、150 V和20的新

  2、如图将外侧的线度,大拇指捏住。然后,内测的尾线,按绿色线的方向,穿出,注意有从走的,有从下面走的,看清楚绿色线的。

  

  

  

  符合AEC-Q101标准的120 V、150 V和200 V设备兼具肖特基和快速恢复二极管的最佳属性。

  奈梅亨,2020年5月27日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。

  新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场,尤其适合高温应用,例如,LED照明、锗二极管发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域,在不超过175 C的条件下不会发生热失控。同时,工程师也可以使用适用于高温设计的快速恢复二极管,优化设计以实现更高效率。SiGe整流器增大低正向电压(Vf)和低Qrr,使传导损耗降低10-20%。

  PMEG SiGe设备(PMEGxGxELR/P)采用功率二极管行业标准的节省空间、高热效率的CFP3和CFP5封装。锗二极管封装采用实心铜夹片,降低热阻,优化热传输至周围,使PCB更小、更紧凑。此外,使用SiGe技术,能够轻松实现肖特基和快速恢复二极管的引脚到引脚替换。

  Nexperia产品经理Jan Fischer评论道:“使用Nexperia的创新型锗化硅技术,让工程师有更多选择来设计电源电,最终构建引领市场的产品,锗二极管这是之前从未有过的。SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充,该产品采用夹片粘合FlatPower (CFP)封装,包括100多个肖特基整流器和快速恢复整流器。此外,我们还将继续扩展产品组合,始终为客户提供符合其应用的产品。”

  第一批4款符合AEC-Q101标准的120V SiGe整流器目前已进入量产阶段。更有8款150V和200V的产品现可提供样片。

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